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3.0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs. Drain Current
5
2.5
4
I D = 500mA
2.0
3
I D = 50mA
2
1.5
1.0
V GS = 10V,
I D = 200mA
1
0
-55
-30 -5 20 45 70 95 120 145
T j , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
9
Fig. 3 On-Resistance vs. Junction Temperature
400
350
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
8
300
7
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5
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250
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I D , DRAIN CURRENT (A)
1
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25 50 75 100 125 150 175
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
200
Fig. 5 Typical Transfer Characteristics
Fig. 6 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
2N7002
Document number: DS11303 Rev. 33 - 2
3 of 5
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
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